硅片是光伏半导体产业的核心材料，制造工艺复杂，技术要求高。制造硅片的基本流程如下：

1、原料准备 硅片的原材料是高纯硅，通常为多晶或单晶硅。这些硅块通常从矿石中提取，然后精炼和纯化以生产高纯度多晶硅。

2、多晶硅提炼 首先对石英矿石进行脱氧提纯，去除铁、铝等杂质。然后，通过化学反应，相对纯净的二氧化硅（SiO2）转化为多晶硅。主要反应是SiO2 + C → Si + CO。产生的一氧化碳(CO)挥发，留下硅晶体。

3、单晶硅生长 生长单晶硅的方法主要有两种：直拉法（CZ）和浮区法（FZ）。直拉法是主流技术，将多晶硅放入坩埚中加热至熔融状态。然后使籽晶与熔融硅接触并缓慢向上提拉以形成单晶硅。浮区法是在真空或惰性气体环境中用电场加热多晶硅棒，引起局部熔化。通过移动加热区并缓慢提拉籽晶，形成高电阻率、高纯度的单晶硅棒。

4、硅锭加工 生长的单晶硅锭需要研磨以达到标准直径，然后切成薄片。切片晶圆的边缘很锋利，需要进行斜切以形成光滑的边缘。

5、硅片抛光 抛光工艺的目的是使硅片表面更加光滑、无损伤，并保证厚度一致性。这一步对于后续的芯片制造至关重要。

6、测试与封装 抛光后的硅片要进行电性能测试，例如电阻率测试。根据需要，晶圆可以进行外延生长以形成具有特定电性能的外延硅晶圆。